开态电流密度大,强度高、散热好,化学性质也很稳定,综合性能在同类二维材料中表现突出。该研究结果表明,单层WSi2N4在二维半导体CMOS集成电路中具有广阔的应用前景,有望为后摩尔芯片技术开辟新的途径。
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